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HIP6601B、HIP6603B和HIP6604B是同步整流降压MOSFET驱动器

时间:2019-6-26, 来源:互联网, 文章类别:元器件知识库

HIP6601BHIP6603BHIP6604B是高频率,双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET的同步整流降压转换器拓扑结构。这些驱动程序相结合用HIP63xx或ISL65xx系列多相降压的PWM控制器和MOSFET构成一个完整的核 -先进的微处理器电压稳压器解决方案。该HIP6601B驱动下部栅极以同步整流器到12V,而上部栅极可以独立地赶了过来范围为5V至12V 。该HIP6603B驱动器上下两个栅极在一定范围5V至12V。这驱动电压的灵活性提供了优化的优点涉及的开关损耗之间权衡的应用与导通损耗。该HIP6604B可以配置为无论是HIP6601B或HIP6603B。在HIP6601B , HIP6603B的输出驱动器和HIP6604B具有高效开关电源的容量MOSFET的工作频率高达2MHz 。每个驱动程序能够驱动一个3000pF的负载具有30ns的传播延迟和50ns的过渡时间。这些产品实现只有一个外部自举在上部栅电容要求。这降低了实现的复杂度并且允许使用更高的性能的,具有成本效益,N沟道MOSFET。自适应贯通保护整合,以防止两个MOSFET的导通同时。

电路

描述

专为通用性和速度,HIP6601B、HIP6603B和HIP6604B是双MOSFET驱动器同时控制高边并从一个低侧N沟道FET的外部提供PWM信号。上部和下部栅极被保持为低,直到驱动程序是初始化。一旦VCC电压超过了VCC上升阈值(见电气规格),PWM信号采用栅过渡控制。在PWM上升沿启动关断下部MOSFET的。经过短暂的传播延迟[TpdlLGATE],则更低的栅极开始下降。典型下降时间[TFLGATE]是在所提供的电气规格部分。自适应直通电路监测LGATE电压和决定上门延迟时间[TPDHUGATE]根据如何快速的LGATE电压低于2.2V 。这防止两者的下部和上部从MOSFET的进行同时或穿通。一旦这种延迟周期完成上栅极驱动开始上升[t的Rugate]和上MOSFET导通。

三态PWM输入

HIP660X司机的一大特色是增加了一个关闭窗口的PWM输入。如果PWM信号进入并保持在关闭窗口内的一组释抑时间,输出驱动器被禁用,并且这两个MOSFET栅极被拉低并保持低电平。在关机状态下当PWM信号以外的移动被去除关闭窗口。否则,将PWM的上升沿和下降沿阈值的概述电气规格DETERMINE当上,下门被使能。

自适应贯通保护

两位车手结合自适应贯通保护为防止高端和低端MOSFET的导通同时,缩短了输入电源。这是确保落闸已完成关闭1之前的另一个MOSFET可以升高。关断过程中的下MOSFET的,所述LGATE电压是监视,直到它到达一个2.2V的阈值,在该时间的UGATE释放上升。自适应贯通线路监测期间UGATE关断相电压。一旦相位已经下降到低于0.5V的阈值,则LGATE可以升高。相持续期间被监视下门的上升时间。如果相具有不低于下跌为250ns内0.5V , LGATE被拉高,以保持自举电容充电。如果相电压超过在此期间,在0.5V的阈值,并保持高比2μs的时间越长, LGATE转变为低电平。上部和下门,然后保持低电平,直到下一个上升沿PWM信号。

上电复位(POR)功能

在初始启动时,VCC电压上升的监测和门驱动器保持低电平,直到一个典型的VCC上升阈值9.95V的到达。一旦VCC上升门槛超过, PWM输入信号取的栅极的控制驱动器。如果VCC低于典型的VCC下降阈值操作期间7.6V ,那么这两个栅极驱动器再次保持低。这种情况一直存在,直到VCC电压超过在VCC上升阈值。

功耗

封装功耗的主要功能开关频率和所选择的总的栅极电荷的MOSFET。计算驱动程序中的功耗一个期望的应用是为了确保安全运行的关键。超过最大允许功耗水平将推动IC超出建议的最大125°C的工作结温。最大允许IC功耗的SO8封装大约800mW的。在设计驱动成应用,建议下面的计算来进行,以确保在所期望的安全操作频率为选定的MOSFET。功率耗散由驾驶员被近似为:

其中fsw是PWM信号的开关频率。 VU和VL表示上部和下部栅极轨电压。QU和QL在上部和下部栅极电荷由下式确定MOSFET的选择和添加到任何外接电容栅极引脚。在我DDQVCC产品的静态功耗驱动程序和通常为30mW 。功耗近似是权力的结果传送到并从上部和下部栅极。但是,在内部自举器件还消耗功率芯片在该刷新周期。在表达方面这款电源低于上MOSFET的总栅极电荷解释。引导设备进行时,低端MOSFET或它的体二极管导通,并拉向PHASE节点GND。而引导装置导通时,电流路径是形成的刷新自举电容。自从上层栅极驱动MOSFET的电荷取出自举电容是相当于总的栅极电荷的场效应晶体管。因此,所要求的刷新功率自举电容等效于用于将功率充MOSFET的栅极电容。

功率与频率

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