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事隔2年华虹半导体第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产

时间:2019-6-28, 来源:互联网, 资讯类别:行业动态

导读:全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司(“华虹半导体”或“公司”)宣布其第三代90 纳米嵌入式闪存(90nm eFlash)工艺平台已成功实现量产。

2017年12月份全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司今天宣布其第二代90纳米嵌入式闪存 (90nm G2 eFlash) 工艺平台已成功实现量产,技术实力和竞争力再度加强。

华虹半导体在第一代90纳米嵌入式闪存 (90nm G1 eFlash) 工艺技术积累的基础上,于90nm G2 eFlash工艺平台实现了多方面的技术提升。90nm G2微缩了Flash的元胞尺寸,较第一代减小约25%,为目前全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸。

此外,90nm G2采用了新的Flash IP设计架构,在保证高可靠性 (即10万次擦写及25年数据保持能力) 的同时,提供了极小面积的低功耗Flash IP。因此,90nm G2 eFlash能够大大缩小整体芯片面积,从而在单片晶圆上拥有更多的裸芯片数量,尤其对于具有高容量eFlash的芯片产品,90nm G2 eFlash的面积优势更为显著。

值得一提的是,90nm G2 eFlash在第一代的基础上又缩减了一层光罩,使得制造成本更低。目前,90nm G2 eFlash已实现了高良率的稳定量产,成功用于大规模生产电信卡芯片,并将为智能卡芯片、安全芯片产品以及MCU等多元化产品提供更具性价比的芯片制造技术解决方案。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“第二代的90nm G2 eFlash工艺的成功量产,标志着华虹半导体在特色化嵌入式闪存技术上的又一次成功。嵌入式非易失性存储器技术是我们的战略重点之一,长期以来凭借着高安全性、高稳定性、高性价比以及技术先进性在业界广受认可。作为全球领先的智能卡IC代工厂,华虹半导体将坚持深耕,不断优化工艺,升级平台,持续领航智能IC卡代工领域,并大力发力物联网、新能源汽车等高增长新兴市场。”

2019年6月份全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司(“华虹半导体”或“公司”)宣布其第三代90 纳米嵌入式闪存(90nm eFlash)工艺平台已成功实现量产。

华虹半导体第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台 成功量产

华虹半导体一直深耕嵌入式非挥发性存储器技术领域,通过不断的技术创新,第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台的Flash元胞尺寸较第二代工艺缩小近40%,再创全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸纪录。Flash IP具有更明显的面积优势,使得芯片整体面积进一步减小,从而在单片晶圆上获得更多裸芯片数量。与此同时,光罩层数也随之进一步减少,有效缩短了流片周期。而可靠性指标继续保持着高水准,可达到10万次擦写及25年数据保持能力。近年来,华虹半导体在90纳米工艺节点连续成功推出三代闪存工艺平台,在保持技术优势的同时,不断探求更高性价比的解决方案。第三代工艺平台的大规模稳定量产,为电信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片产品以及微控制器(MCU)等多元化产品提供持续稳定的支持和解决方案。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“华虹半导体是嵌入式非易失性存储器技术的领航者,未来将继续聚焦200mm差异化技术的研发创新,面向高密度智能卡与高端微控制器市场,同时不断致力于在功耗和面积方面提供显著的优化,将200mm现有的技术优势向300mm延伸,更好地服务国内外半导体芯片设计公司,满足市场需求。”


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